IS43TR85120A-125KBL

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IS43TR85120A-125KBL概述

4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-TWBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.5V 78-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TW-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.5V 78-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.5V 78-Pin FBGA


IS43TR85120A-125KBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 165 mA

位数 8

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 78

封装 BGA-78

外形尺寸

封装 BGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43TR85120A-125KBL
型号: IS43TR85120A-125KBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS
替代型号IS43TR85120A-125KBL
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IS43TR85120A-125KBL和IS43TR85120A-125KBL-TR的区别

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