IS42RM32160E-75BL-TR

IS42RM32160E-75BL-TR图片1
IS42RM32160E-75BL-TR图片2
IS42RM32160E-75BL-TR图片3
IS42RM32160E-75BL-TR概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - Mobile Memory IC Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13


立创商城:
IS42RM32160E 75BL TR


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 2.5V 90-Pin F-BGA T/R


IS42RM32160E-75BL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

电源电压Max 3 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM32160E-75BL-TR
型号: IS42RM32160E-75BL-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA
替代型号IS42RM32160E-75BL-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42RM32160E-75BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42RM32160C-75BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS42RM32160E-75BL-TR和IS42RM32160C-75BL-TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台