IS61LPS51218A-200TQLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS61LPS51218A-200TQLI概述

SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP 14x20

得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

贸泽:
SRAM 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v

艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP

安富利:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP

Verical:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP

IS61LPS51218A-200TQLI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

供电电流 275 mA

时钟频率 200MHz max

位数 18

存取时间 3.1 ns

内存容量 9000000 B

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

电源电压Max 3.465 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61LPS51218A-200TQLI

型号： IS61LPS51218A-200TQLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFP

替代型号IS61LPS51218A-200TQLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS61LPS51218A-200TQLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS61LPS51218A-200TQI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS61LPS51218A-200TQLI和IS61LPS51218A-200TQI的区别
GS880Z18CGT-250V GSI	功能相似	IS61LPS51218A-200TQLI和GS880Z18CGT-250V的区别
GS88118CGT-200I GSI	功能相似	IS61LPS51218A-200TQLI和GS88118CGT-200I的区别