IS61WV25632BLL-10BLI

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IS61WV25632BLL-10BLI概述

静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(256K x 32) 并联 10 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA


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IS61WV25632BLL 10BLI


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静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Async Quad 3.3V 8M-Bit 256K x 32 10ns 90-Pin WBGA


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 8Mbit 256K X 32 10ns 90-Pin TFBGA Tray


Chip1Stop:
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Verical:
SRAM Chip Async Quad 3.3V 8M-bit 256K x 32 10ns 90-Pin WBGA


IS61WV25632BLL-10BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 90 mA

位数 32

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS61WV25632BLL-10BLI引脚图与封装图
IS61WV25632BLL-10BLI引脚图
IS61WV25632BLL-10BLI封装图
IS61WV25632BLL-10BLI封装焊盘图
在线购买IS61WV25632BLL-10BLI
型号: IS61WV25632BLL-10BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器
替代型号IS61WV25632BLL-10BLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

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