IS42S16320F-6BLI-TR

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IS42S16320F-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm, RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 167MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm, RoHS, IT, T&R


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16320F-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16320F-6BLI-TR
型号: IS42S16320F-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm, RoHS, IT, T&R
替代型号IS42S16320F-6BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S16320F-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42S16320B-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS42S16320F-6BLI-TR和IS42S16320B-6BLI-TR的区别

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