IS42S32160D-6BL

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IS42S32160D-6BL概述

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16M x 32 3.3V 90-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32160D-6BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 245 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S32160D-6BL
型号: IS42S32160D-6BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

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