IS43TR85120A-15HBLI-TR

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IS43TR85120A-15HBLI-TR概述

4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS, IT, T&R

SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 667MHz 20ns 78-TWBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.5V 78-Pin FBGA T/R


安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TW-BGA T/R


IS43TR85120A-15HBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 20 ns

电源电压 1.425V ~ 1.575V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-78

外形尺寸

封装 TFBGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43TR85120A-15HBLI-TR
型号: IS43TR85120A-15HBLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA 9mm x10.5mm RoHS, IT, T&R

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