IS42S32160F-6BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32160F-6BLI-TR概述

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 167MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA

立创商城:
IS42S32160F 6BLI TR

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R

安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA T/R

IS42S32160F-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S32160F-6BLI-TR

型号： IS42S32160F-6BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT, T&R

替代型号IS42S32160F-6BLI-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S32160F-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S32160B-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32160F-6BLI-TR和IS42S32160B-6BLI-TR的区别
IS42S32160C-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32160F-6BLI-TR和IS42S32160C-6BLI-TR的区别
IS42S32160F-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42S32160F-6BLI-TR和IS42S32160F-6BLI的区别