IS42S32160D-6BLI

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IS42S32160D-6BLI概述

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32160D-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 245 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S32160D-6BLI
型号: IS42S32160D-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

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