IS42S32160F-75EBLI

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IS42S32160F-75EBLI概述

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13


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IS42S32160F 75EBLI


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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


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DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT


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DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


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DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32160F-75EBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 210 mA

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 7.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S32160F-75EBLI
型号: IS42S32160F-75EBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT
替代型号IS42S32160F-75EBLI
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