IS43DR16128B-25EBL

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IS43DR16128B-25EBL概述

2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA(10.5x13)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V


IS43DR16128B-25EBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 375 mA

时钟频率 400 MHz

位数 16

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16128B-25EBL
型号: IS43DR16128B-25EBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS
替代型号IS43DR16128B-25EBL
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IS43DR16128B-25EBL

Integrated Silicon SolutionISSI

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