IS42RM32160E-75BLI

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IS42RM32160E-75BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 133 MHz 6 ns 90-TFBGA(8x13)


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IS42RM32160E 75BLI


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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


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DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 2.5V 90-Pin F-BGA


IS42RM32160E-75BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

IS42RM32160E-75BLI引脚图与封装图
IS42RM32160E-75BLI引脚图
IS42RM32160E-75BLI封装图
IS42RM32160E-75BLI封装焊盘图
在线购买IS42RM32160E-75BLI
型号: IS42RM32160E-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA
替代型号IS42RM32160E-75BLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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