IS61NLP51236B-200B3LI-TR

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IS61NLP51236B-200B3LI-TR概述

静态随机存取存储器 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync 静态随机存取存储器

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA 13x15


立创商城:
IS61NLP51236B 200B3LI TR


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA


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静态随机存取存储器 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin TFBGA


IS61NLP51236B-200B3LI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 3 ns

存取时间Max 3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS61NLP51236B-200B3LI-TR
型号: IS61NLP51236B-200B3LI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync 静态随机存取存储器
替代型号IS61NLP51236B-200B3LI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS61NLP51236B-200B3LI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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