IS42S32160C-6BI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32160C-6BI-TR概述

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA T/R

IS42S32160C-6BI-TR中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IS42S32160C-6BI-TR

型号： IS42S32160C-6BI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v