IS42S16320D-6BLI

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IS42S16320D-6BLI概述

Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-54

SDRAM 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 54-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


IS42S16320D-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16320D-6BLI
型号: IS42S16320D-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-54

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