IS42S32160B-75EBLI

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IS42S32160B-75EBLI概述

IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 133MHz 5.5ns 90-WBGA 11x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


IS42S32160B-75EBLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32160B-75EBLI
型号: IS42S32160B-75EBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA
替代型号IS42S32160B-75EBLI
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