IS49NLC36800-33BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS49NLC36800-33BLI概述

DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

DRAM Memory IC 288Mb 8M x 36 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5

得捷:
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA

贸泽:
DRAM 288Mbit x36 Common I/O 300MHz RLDRAM2

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144-Pin FCBGA

IS49NLC36800-33BLI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 3.3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FCBGA-144

外形尺寸

封装 FCBGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

IS49NLC36800-33BLI引脚图与封装图

在线购买IS49NLC36800-33BLI

型号： IS49NLC36800-33BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

替代型号IS49NLC36800-33BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS49NLC36800-33BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS49NLC36800-33BL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS49NLC36800-33BLI和IS49NLC36800-33BL的区别
MT49H8M36FM-5 镁光	功能相似	IS49NLC36800-33BLI和MT49H8M36FM-5的区别
MT49H8M36BM-33 镁光	功能相似	IS49NLC36800-33BLI和MT49H8M36BM-33的区别