IS61DDB22M18-250M3L参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS61DDB22M18-250M3L概述

DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 165-LFBGA 13x15

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 165-Pin LFBGA

Verical:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 165-Pin FBGA

IS61DDB22M18-250M3L中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间 0.35 ns

存取时间Max 0.35 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS61DDB22M18-250M3L引脚图与封装图

在线购买IS61DDB22M18-250M3L

型号： IS61DDB22M18-250M3L

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

替代型号IS61DDB22M18-250M3L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS61DDB22M18-250M3L Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS61DDB22M18-250M3 Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS61DDB22M18-250M3L和IS61DDB22M18-250M3的区别
IS61DDB22M18A-250B4LI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS61DDB22M18-250M3L和IS61DDB22M18A-250B4LI的区别
IS61DDB22M18A-250M3L Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS61DDB22M18-250M3L和IS61DDB22M18A-250M3L的区别