IS49NLC18160-33B

IS49NLC18160-33B图片1
IS49NLC18160-33B图片2
IS49NLC18160-33B图片3
IS49NLC18160-33B图片4
IS49NLC18160-33B图片5
IS49NLC18160-33B概述

动态随机存取存储器 288Mbit x18 Common I/O 300MHz Leaded

DRAM Memory IC 288Mb 16M x 18 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5


得捷:
IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 288Mbit x18 Common I/O 300MHz Leaded


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144-Pin FCBGA


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V 144-Pin FCBGA


IS49NLC18160-33B中文资料参数规格
技术参数

供电电流 525 mA

存取时间 3.3 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FCBGA-144

外形尺寸

封装 FCBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

IS49NLC18160-33B引脚图与封装图
IS49NLC18160-33B封装图
IS49NLC18160-33B封装焊盘图
在线购买IS49NLC18160-33B
型号: IS49NLC18160-33B
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 288Mbit x18 Common I/O 300MHz Leaded

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台