IS49NLC36160-33BI

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IS49NLC36160-33BI概述

动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz Leaded IT

DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA 11x18.5


得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz Leaded IT


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 576Mbit 16Mx36 1.8V 144-Pin FCBGA


IS49NLC36160-33BI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 3.3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

IS49NLC36160-33BI引脚图与封装图
IS49NLC36160-33BI引脚图
IS49NLC36160-33BI封装图
IS49NLC36160-33BI封装焊盘图
在线购买IS49NLC36160-33BI
型号: IS49NLC36160-33BI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 576Mbit x36 Common I/O 300MHz Leaded IT

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