IS49RL18320-125BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS49RL18320-125BLI概述

动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz

DRAM 存储器 IC 576Mb（32M x 18）并联 800 MHz 12 ns 168-FC（LF）BGA（13.5x13.5）

得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA

立创商城:
IS49RL18320 125BLI

贸泽:
动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA

IS49RL18320-125BLI中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间 12 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 LBGA-168

外形尺寸

封装 LBGA-168

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

IS49RL18320-125BLI引脚图与封装图

在线购买IS49RL18320-125BLI

型号： IS49RL18320-125BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz

替代型号IS49RL18320-125BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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