IS49RL18320-125EBL

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IS49RL18320-125EBL概述

DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 32M x 18 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 800 MHz 10 ns 168-FC(LF)BGA(13.5x13.5)


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IS49RL18320 125EBL


得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA


贸泽:
DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz


艾睿:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip DDR RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FCBGA


IS49RL18320-125EBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1400 mA

位数 18

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

电源电压Max 1.42 V

电源电压Min 1.28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 LBGA-168

外形尺寸

封装 LBGA-168

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS49RL18320-125EBL引脚图与封装图
IS49RL18320-125EBL引脚图
IS49RL18320-125EBL封装图
IS49RL18320-125EBL封装焊盘图
在线购买IS49RL18320-125EBL
型号: IS49RL18320-125EBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 32M x 18 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA
替代型号IS49RL18320-125EBL
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完全替代

IS49RL18320-125EBL和IS49RL18320-093BL的区别

IS49RL18320-093BLI

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