IS49RL36160-093BL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS49RL36160-093BL概述

DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16M x 36 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

DRAM 存储器 IC 576Mb（16M x 36）并联 1.066 GHz 10 ns 168-FC（LF）BGA（13.5x13.5）

得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA

贸泽:
DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA

IS49RL36160-093BL中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 1.066 GHz

位数 36

存取时间 10 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

电源电压Max 1.42 V

电源电压Min 1.28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 LBGA-168

外形尺寸

封装 LBGA-168

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

IS49RL36160-093BL引脚图与封装图

在线购买IS49RL36160-093BL

型号： IS49RL36160-093BL

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16M x 36 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

替代型号IS49RL36160-093BL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS49RL36160-093BL Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS49RL36160-125EBL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS49RL36160-093BL和IS49RL36160-125EBL的区别
IS49RL36160-107BL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS49RL36160-093BL和IS49RL36160-107BL的区别
IS49RL36160-093BLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS49RL36160-093BL和IS49RL36160-093BLI的区别