IS49RL36160-107BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS49RL36160-107BLI概述

动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz

DRAM 存储器 IC 576Mb（16M x 36）并联 933 MHz 10 ns 168-FC（LF）BGA（13.5x13.5）

立创商城:
RLDRAM 576Mbit 1.28V~1.42V

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IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA

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动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz

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DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA

IS49RL36160-107BLI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 10 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 LBGA-168

外形尺寸

封装 LBGA-168

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

IS49RL36160-107BLI引脚图与封装图

在线购买IS49RL36160-107BLI

型号： IS49RL36160-107BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 RL动态随机存取存储器3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz

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替代型号IS49RL36160-107BLI

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