IS42S16160B-7TI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16160B-7TI概述

动态随机存取存储器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

IS42S16160B-7TI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 143MHz max

存取时间 5.4 ns

内存容量 256000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.42 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

IS42S16160B-7TI引脚图与封装图

在线购买IS42S16160B-7TI

型号： IS42S16160B-7TI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz