IS41LV16100B-50TLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS41LV16100B-50TLI-TR概述

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns

DRAM - EDO Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 25ns 44-TSOP II

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns

艾睿:
DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R

IS41LV16100B-50TLI-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 16

存取时间 50 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 21.05 mm

宽度 10.26 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS41LV16100B-50TLI-TR

型号： IS41LV16100B-50TLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns