IDB10S60C

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IDB10S60C概述

第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A DC Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3


安富利:
Diode Schottky 600V 10A 3-Pin TO-263 T/R


儒卓力:
**SIC-Diode 600V 10A 1.70V TO263 **


IDB10S60C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @10A

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.7V @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IDB10S60C
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

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