IXDD630YI

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IXDD630YI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

Working with high voltage decision making circuits? This power driver by Ixys Corporation will properly help switch states. This device has a maximum propagation delay time of 65 ns. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 10 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

IXDD630YI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 11 ns

输出接口数 1

上升时间 20 ns

输出电流Max 30 A

下降时间 18 ns

下降时间Max 18 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 12.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TO-263-5

外形尺寸

封装 TO-263-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDD630YI
型号: IXDD630YI
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

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