IR2130STRPBF

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IR2130STRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage
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dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 to 20 V
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Undervoltage lockout for all channels
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Typical deadtime 2.5 µs IR2130
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Typical deadtime 0.8 µs IR2132 option available
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Over-current shutdown turns off all six drivers
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Independent half-bridge drivers
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Matched propagation delay for all channels
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2.5 V logic compatible
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Outputs out of phase with inputs
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Cross-conduction prevention logic
IR2130STRPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 80ns, 35ns

输出接口数 6

针脚数 28

耗散功率 1600 mw

下降时间Max 55 ns

上升时间Max 125 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IR2130STRPBF引脚图与封装图
IR2130STRPBF电路图
在线购买IR2130STRPBF
型号: IR2130STRPBF
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IR2130STRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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