IR21091STRPBF

IR21091STRPBF图片1
IR21091STRPBF图片2
IR21091STRPBF图片3
IR21091STRPBF图片4
IR21091STRPBF图片5
IR21091STRPBF图片6
IR21091STRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

.
Floating channel designed for bootstrap operation
.
Fully operational to +600 V
.
Tolerant to negative transient voltage
.
dV/dt immune
.
Gate drive supply range from 10 to 20 V
.
Undervoltage lockout for both channels
.
3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
.
Cross-conduction prevention logic
.
Matched propagation delay for both channels
.
High side output in phase with IN input
.
Logic and power ground + /- 5 V offset
.
Internal 540ns dead-time, and programmable up to 5µs with one external RDT resistor
.
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
.
The dual function DT/Sd pin input turns off both channels
IR21091STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 150ns, 50ns

输出接口数 2

输出电流 350 mA

耗散功率 625 mW

静态电流 1.6 µA

上升时间 220 ns

下降时间 80 ns

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IR21091STRPBF引脚图与封装图
IR21091STRPBF电路图
在线购买IR21091STRPBF
型号: IR21091STRPBF
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台