P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
上升/下降时间 150ns, 50ns
输出接口数 2
输出电流 350 mA
耗散功率 625 mW
静态电流 1.6 µA
上升时间 220 ns
下降时间 80 ns
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 220 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free