半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
半桥 栅极驱动器 IC 反相 44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
艾睿:
Driver 600V 6-OUT High and Low Side Half Brdg Inv 32-Pin PLCC T/R
安富利:
MOSFET DRVR 600V 6-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 32-Pin PLCC T/R
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
耗散功率 2000 mW
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-44
封装 PLCC-44
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRS2330DJTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRS2330DJPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRS2330DJTRPBF和IRS2330DJPBF的区别 |