IXDN602PI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDN602PI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

低端栅极驱动器 IC 非反相 8-DIP

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin DIP Tube

Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin DIP Tube

IXDN602PI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

输出电流Max 2 A

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDN602PI

型号： IXDN602PI

制造商： IXYS Semiconductor

描述：低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A