IXDF602SIATR

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IXDF602SIATR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


得捷:
2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


贸泽:
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET


艾睿:
Drive a high voltage and high current line with a transistor a certain way with this IXDF602SIATR power driver manufactured by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


IXDF602SIATR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

上升时间 15 ns

下降时间 15 ns

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDF602SIATR
型号: IXDF602SIATR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
替代型号IXDF602SIATR
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