IXDI602D2TR

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IXDI602D2TR概述

门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-DFN-EP(5x4)


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN


贸泽:
门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET


艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin DFN EP T/R


Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin DFN EP T/R


IXDI602D2TR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDI602D2TR
型号: IXDI602D2TR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET

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