IXDI602SIA

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IXDI602SIA概述

IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


艾睿:
Switch between states in a high power transistor by using this IXDI602SIA power driver developed by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube


IXDI602SIA中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

上升时间 15 ns

输出电流Max 2 A

下降时间 15 ns

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IXDI602SIA引脚图与封装图
IXDI602SIA引脚图
IXDI602SIA封装图
IXDI602SIA封装焊盘图
在线购买IXDI602SIA
型号: IXDI602SIA
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8
替代型号IXDI602SIA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDI602SIA

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当前型号

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IXDI602SITR

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完全替代

IXDI602SIA和IXDI602SITR的区别

IXDI602SI

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