IR25604STRPBF

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IR25604STRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA


艾睿:
Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


IR25604STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 150ns, 50ns

输出接口数 2

耗散功率 625 mW

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR25604STRPBF引脚图与封装图
IR25604STRPBF电路图
在线购买IR25604STRPBF
型号: IR25604STRPBF
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IR25604STRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR25604STRPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IR25604SPBF

英飞凌

完全替代

IR25604STRPBF和IR25604SPBF的区别

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