IXDN602D2TR

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IXDN602D2TR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN-EP(5x4)


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN


艾睿:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin DFN EP T/R


IXDN602D2TR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDN602D2TR
型号: IXDN602D2TR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

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