IXDN614PI

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IXDN614PI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-DIP


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP


艾睿:
Driver 14A 1-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin DIP Tube


Verical:
MOSFET DRVR 14A 1-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin DIP Tube


IXDN614PI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

上升时间 35 ns

下降时间 25 ns

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDN614PI
型号: IXDN614PI
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A
替代型号IXDN614PI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDN614PI

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXDD614PI

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完全替代

IXDN614PI和IXDD614PI的区别

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