IXDI609SIA

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IXDI609SIA概述

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

Switch on or off your high-power transistors with this power driver from Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 30 ns. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V.

IXDI609SIA中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 22ns, 15ns

输出接口数 1

上升时间 45 ns

下降时间 40 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDI609SIA
型号: IXDI609SIA
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
替代型号IXDI609SIA
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