ISL6613AEIBZ-T参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL6613AEIBZ-T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 10.8V min

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

耗散功率 2000 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2000 mW

电源电压 10.8V ~ 13.2V

电源电压Max 13.2 V

电源电压Min 10.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL6613AEIBZ-T

型号： ISL6613AEIBZ-T

制造商： Intersil 英特矽尔

描述：与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

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