IXDN602SIATR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDN602SIATR概述

IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 双低压侧超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

低端栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC

欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

贸泽:
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET

艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

IXDN602SIATR中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

上升时间 15 ns

下降时间 15 ns

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDN602SIATR

型号： IXDN602SIATR

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 双低压侧超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

替代型号IXDN602SIATR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXDN602SIATR IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXDN602SIA IXYS Semiconductor	完全替代	IXDN602SIATR和IXDN602SIA的区别
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