IXDN609SITR

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IXDN609SITR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC-EP


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A


艾睿:
Driver 2A 1-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC EP T/R


IXDN609SITR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 22ns, 15ns

输出接口数 1

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 45 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDN609SITR
型号: IXDN609SITR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
替代型号IXDN609SITR
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