IXDD609SIATR

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IXDD609SIATR概述

门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


贸泽:
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET


艾睿:
Ixys Corporation&s;s IXDD609SIATR power driver will help with fast switching within your circuit. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V.


IXDD609SIATR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 22ns, 15ns

输出接口数 1

输出电流 2 A

上升时间 22 ns

下降时间 15 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDD609SIATR
型号: IXDD609SIATR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
替代型号IXDD609SIATR
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