IXDI630MYI概述
低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A
Low-Side Gate Driver IC TO-263-5
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
贸泽:
Gate Drivers 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
艾睿:
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube
IXDI630MYI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 11 ns
输出接口数 1
输出电压 9 V
输出电流 30 A
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
下降时间Max 18 ns
上升时间Max 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 9V ~ 35V
电源电压Max 35 V
电源电压Min 9 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TO-263-5
外形尺寸
封装 TO-263-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDI630MYI引脚图与封装图 
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