IXYS SEMICONDUCTOR IXFH110N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
欧时:
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N沟道 100V 110A
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MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
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功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, 通孔
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247AD
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-247AD
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# IXYS SEMICONDUCTOR IXFH110N10P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 480 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3550pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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