IRS2113MTRPBF

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IRS2113MTRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Floating gate driver designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 V to 20 V
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Undervoltage lockout for both channels
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3.3 V logic compatible
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Separate logic supply range from 3.3 V to 20 V
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Logic and power ground +/- 5 V offset
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CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
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Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
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Matched propagation delay for both channels
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Outputs in phase with inputs
IRS2113MTRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 17ns

输出接口数 2

输出电流 2.5 A

针脚数 14

耗散功率 2080 mW

静态电流 180 µA

上升时间 25 ns

下降时间 17 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2080 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 MLPQ-16

外形尺寸

封装 MLPQ-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IRS2113MTRPBF
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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