MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
欧时:
Infineon IRS2332JPBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 10 → 20 V电源, 44引脚 PLCC封装
艾睿:
Driver 600V 6-OUT High and Low Side Half Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 6-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 6-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
Win Source:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC / Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 44-PLCC, 32 Leads 16.58x16.58
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
耗散功率 2000 mW
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 PLCC-44
长度 16.66 mm
宽度 16.66 mm
高度 3.59 mm
封装 PLCC-44
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free