低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A
低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC
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得捷: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
艾睿: Driver 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
安富利: MOSFET DRVR 3.3A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
上升/下降时间 25 ns
输出接口数 2
耗散功率 625 mW
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 25 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 11.2V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册