IRS44262STRPBF

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IRS44262STRPBF概述

低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


艾睿:
Driver 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
MOSFET DRVR 3.3A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


IRS44262STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25 ns

输出接口数 2

耗散功率 625 mW

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 25 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 11.2V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IRS44262STRPBF引脚图与封装图
IRS44262STRPBF电路图
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型号: IRS44262STRPBF
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:2.3A 拉:3.3A

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