MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
欧时:
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艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 1.6W
Verical:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
Newark:
# INFINEON IR2132SPBF MOSFET Driver, Half Bridge, 10V-20V supply, 500 mA and 55 ohm output, SOIC-28
儒卓力:
**3 Phase Driver **
电源电压DC 10.0V min
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
输出电压 10.20 V
输出电流 420 mA
通道数 3
耗散功率 1600 mw
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1600 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
长度 18.1 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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