IR2132SPBF

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IR2132SPBF概述

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,

一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA


欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube


TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 1.6W


Verical:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube


Newark:
# INFINEON  IR2132SPBF  MOSFET Driver, Half Bridge, 10V-20V supply, 500 mA and 55 ohm output, SOIC-28


儒卓力:
**3 Phase Driver **


IR2132SPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 80ns, 35ns

输出接口数 6

输出电压 10.20 V

输出电流 420 mA

通道数 3

耗散功率 1600 mw

下降时间Max 55 ns

上升时间Max 125 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

长度 18.1 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.35 mm

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IR2132SPBF引脚图与封装图
IR2132SPBF电路图
在线购买IR2132SPBF
型号: IR2132SPBF
描述:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
替代型号IR2132SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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