IR2132STRPBF

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IR2132STRPBF概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

半桥 栅极驱动器 IC 反相 28-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA


欧时:
Infineon Gate Driver IR2132STRPBF


贸泽:
Gate Drivers 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT


e络盟:
MOSFET驱动器, 3相桥, 10 V至20 V电源, 200 mA/420 mA输出, 425 ns开/关, WSOIC-28


艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R


Verical:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R


Win Source:
IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC


IR2132STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 80ns, 35ns

输出接口数 6

输出电流 500 mA

针脚数 28

耗散功率 1600 mW

上升时间 125 ns

下降时间 55 ns

下降时间Max 55 ns

上升时间Max 125 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

长度 18.1 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.35 mm

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR2132STRPBF引脚图与封装图
IR2132STRPBF电路图
在线购买IR2132STRPBF
型号: IR2132STRPBF
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号IR2132STRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR2132STRPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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IR2132S

英飞凌

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IR2132STRPBF和IR2132S的区别

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