P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
半桥 栅极驱动器 IC 反相 28-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
欧时:
Infineon Gate Driver IR2132STRPBF
贸泽:
Gate Drivers 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
e络盟:
MOSFET驱动器, 3相桥, 10 V至20 V电源, 200 mA/420 mA输出, 425 ns开/关, WSOIC-28
艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R
Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R
Verical:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W T/R
Win Source:
IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
输出电流 500 mA
针脚数 28
耗散功率 1600 mW
上升时间 125 ns
下降时间 55 ns
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1600 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
长度 18.1 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR2132STRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IR2132S 英飞凌 | 完全替代 | IR2132STRPBF和IR2132S的区别 |